Nusantaratv.com - Produsen chip memori terbesar kedua di dunia, SK hynix Inc., baru-baru ini mengumumkan mereka telah mengembangkan DDR5 16 gigabyte (GB) pertama di industri menggunakan node 1c, yang merupakan generasi ke-6 dari proses 10 nm.
Seperti dilansir dari Techpowerup, Jumat (30/8/2024), keberhasilan perusahaan dalam mengembangkan memori dengan node 1c ini menunjukkan dimulainya penskalaan ekstrem ke level yang mendekati 10 nm dalam teknologi proses memori.
Tingkat kesulitan untuk memajukan proses penyusutan teknologi DRAM rentang 10 nm telah berkembang dari generasi ke generasi.
Namun, tampaknya SK Hynix telah menjadi perusahaan pertama di industri yang mengatasi keterbatasan teknologi tersebut dengan meningkatkan tingkat penyelesaian dalam desain, berkat teknologi terdepan di industri dari 1b, generasi kelima dari proses 10 nm.
SK Hynix mengatakan perusahaan siap memproduksi massal DDR5 1c pada 2024, dan memulai pengiriman pada tahun depan.
DRAM dengan proses 1b telah diakui secara luas memberikan performa terbaik untuk DRAM dengan lebih efisien, dan kini teknologi proses tersebut pun dilanjutkan melalui pengembangan proses 1c.
Produk terbaru mendatang akan hadir dengan peningkatan dari segi efisiensi biaya dibandingkan dengan generasi sebelumnya, dan bisa tercapai dengan mengadopsi material baru dalam proses tertentu dari ultraviolet ekstrem, atau EUV, sekaligus mengoptimalkan proses aplikasi EUV secara total.
Kecepatan operasi 1c DDR5 yang diharapkan akan diadopsi untuk pusat data berkinerja tinggi, ditingkatkan sebesar 11 persen dari generasi sebelumnya menjadi 8Gbps.
Berkat efisiensi daya yang ditingkatkan lebih dari 9 persen ini diharapkan akan membantu pusat data bisa mengurangi biaya listrik hingga 30 persen saat era kecerdasan buatan (artificial intelligence/AI) telah menyebabkan konsumsi daya meningkat.
"Kami berkomitmen memberikan nilai yang berbeda kepada pelanggan dengan menerapkan teknologi 1c yang dilengkapi dengan kinerja terbaik dan daya saing biaya pada produk utama generasi berikutnya, termasuk HBM, LPDDR6, dan GDDR7," ujar Kepala Pengembangan DRAM SK Hynix, Kim Jong-hwan.
"Kami akan terus berupaya mempertahankan kepemimpinan dalam ruang DRAM dan posisi sebagai penyedia solusi memori AI yang paling tepercaya," tukasnya.